جان‌هایو لین، دانشجو دانشگاه وندربیت موفق به ساخت یک نانوسیم بسیار باریک شده که تنها از سه اتم تشکیل شده است. این نانوسیم که از یک لایه نیمه هادی با یک پرتو الکترون ساخته شده می‌تواند در ترانزیستورها و گیت‌های حافظه مورد استفاده قرار گیرد. در حال حاضر نیز از نانو-سیم‌ها در تولید ترانزیستورها و برقرای ارتباط بین بخش‌های مختلف مدارهای الکترونیکی استفاده می‌شود، اما هیچ‌کدام از نانوسیم‌های فعلی تا به حال به این اندازه باریک نبوده‌اند.